时事要闻

派恩杰半导体 650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比,国产器件重载时温度更低

igoseo.net   2021年10月19日

  650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能,驱动,电动汽车及充电桩,UPS,电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。

  自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后,目前市场上CREE,UnitedSiC,罗姆,Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商,国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何?派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。

  派恩杰设计的Buck-Boost效率测试平台用于650V/1200V TO247-4 分立SiC MOSFET的开环功率实验,器件系统效率和温升性能测试,双脉冲测试以及电池充放电系统。最大输入电压可达800Vdc,输出400Vdc,可工作在Buck模式或者Boost模式。原理图如图1,实物图如图2。

图1,Buck-Boost原理图

图2,Buck-Boost测试平台

  本次选择了派恩杰650V 60mΩ产品P3M06060K4与C品牌4pin 650V 60mΩ进行测试对比。P3M06060K4 Rdson随温度变化更小,高温下导通损耗更小,因此在高温下性能更优,见图3,图4,

图3,18V Rdson vs Tj;图4,20V Rdson vs Tj

  采用Buck模式对比两家器件性能。在100kHz条件下,轻载时效率基本一致达到99%,重载时P3M06060K4器件效率更高,如图5。在4kW时,P3M06060K4器件温度86℃,C品牌器件温度96℃。P3M06060K4器件功率加到4.7kW时,器件温度才到100℃,如图6。其中C品牌器件温度达到96℃如图7,相应电感温度如图8。

图5,100kHz效率对比曲线;图6,100kHz温度对比曲线

图7,100kHz,4kW时C品牌器件温度

图8,100kHz,4kW时C品牌电感温度

  在65kHz条件下,轻载时效率基本一致达到99%,重载时P3M06060K4器件效率更高,如图9。在4.3kW时,P3M06060K4器件温度80℃,C品牌器件温度102℃。P3M06060K4器件功率加到5kW时,器件温度才接近100℃,如图10。其中C品牌器件温度达到96℃如图11,相应电感温度如图12。

图9,65kHz效率对比曲线;图10,65kHz温度对比曲线

图11,65kHz,4kW时C品牌器件温度

图12,65kHz,4kW时C品牌电感温度

  因此P3M06060K4器件在重载时温度更低,已经超过世界一流SiC厂商C品牌器件。

  派恩杰半导体SiC MOSFET 650V -1700V SiC MOSFET产品齐全,除了650V 60mΩSiC MOSFET P3M06060K4, 其他SiC MOSFET器件性能也已达到国际一流水平。

标签:派恩杰半导体 我要反馈 
专题报道
施耐德电气食品饮料行业电力健康分析/配电系统风险识别与运维

电能质量是电力健康的一项重要内容, 严重的电能质量问题会引起食品饮料制造工厂供电中断,造成停产,带来巨大的经济损失。施耐

高效远超你想象-魏德米勒与你相约2021 CeMAT物流展

魏德米勒作为行业领先的电联接专家,进入中国市场20多年,一直致力于为中国以及国际企业提供创新的xpj化解决方案。我国正处于

贸泽电子——2021技术创新周

在全世界xpj机器人事业蓬勃发展之际,贸泽电子将于10月27-29日举办2021技术创新周。贸泽电子邀请了Analog D

Baidu